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ONSEMI FDP150N10A-F102 MOSFET, CANALE N, 100V 50A, TO-220


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N. Articolo:
     8585-2860231
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDP150N10A-F102
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0125 ohm Gamma di prodotti PowerTrench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 50 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 91 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDP150N10A-F102, 2860231, 286-0231
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