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STMICROELECTRONICS A2C35S12M3 IGBT, MODULO, CA-N, 1.2KV, 35A


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N. Articolo:
     8585-2851960
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     A2C35S12M3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti ACEPACK 2 M Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore continua 35 A Stile di Case del Transistor modulo Terminazione IGBT a saldare Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.95 V Dissipazione di potenza 250 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT CIB [convertitore + inverter + brake] trifase
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STMICROELECTRONICS, A2C35S12M3, 2851960, 285-1960
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