Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2835599 N. Art. Produtt.:
NVMFD5C446NLWFT1G EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Gamma di prodotti - Corrente di drain continua (Id) canale P 145 A Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua (Id) canale N 145 A Resistenza RdsON canale N 0.0022 ohm Resistenza RdsON canale P 0.0022 ohm Tipo di canale canale N Dissipazione di potenza canale N 125 W Dissipazione di potenza canale P 125 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, NVMFD5C446NLWFT1G, 2835599, 283-5599 |
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