Categorie
Forniture per ufficio
Hardware, software, telecomunicazione
Attrezzi e strumenti
Elettronica, elettrotecnica
Arredamento aziendale, allestimento magazzini
Sicurezza sul lavoro
Forniture tecniche e industriali
Prodotti medicali, terapia, laboratorio
Domotica, impiantistica
Materiali per spedizioni e imballaggi
Hotel, gastronomia, alimenti, bevande
Pulizia
Altre categorie
Italia
Italiano
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
My Mercateo
Accedi / Registrati
Accesso
Nuovo cliente?
Registrati ora
>
Profilo
Archivio ordini
Liste degli acquisti
Richieste d'acquisto
Carrello
Pagina iniziale
>
Elettronica, elettrotecnica
>
Componenti elettronici attivi
>
Raddrizzatore, diodi, transistori
>
Transistori
>
Transistor a effetto campo
>
Articolo
VISHAY SQD40131EL_GE3 MOSFET, CA-P, AEC-Q101, -40V, -50A
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2833885
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SQD40131EL_GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0095 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 50 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 62 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
,
Discreti
,
Effetto
,
Semiconduttori
,
Singoli
,
Transistori
,
VISHAY
,
SQD40131EL_GE3
,
2833885
,
283-3885
Riepilogo condizioni
1
Tempi di consegna
Stato magazzino
Prezzo
In magazzino
a partire da € 3,04*
Il prezzo è valido a partire da 7.500 pacchetti
1 pacchetto contiene 5 pezzi (a partire da € 0,608* per pezzo)
Scegli condizioni
Consiglia articolo
Aggiungi alla lista d’acquisto
Prezzi progressivi
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
1 pacchetto
€ 7,47*
€ 9,1134
per pacchetto
a partire da 5 pacchetti
€ 7,32*
€ 8,9304
per pacchetto
a partire da 10 pacchetti
€ 6,01*
€ 7,3322
per pacchetto
a partire da 20 pacchetti
€ 4,875*
€ 5,9475
per pacchetto
a partire da 50 pacchetti
€ 4,805*
€ 5,8621
per pacchetto
a partire da 100 pacchetti
€ 4,08*
€ 4,9776
per pacchetto
a partire da 200 pacchetti
€ 3,54*
€ 4,3188
per pacchetto
a partire da 7500 pacchetti
€ 3,04*
€ 3,7088
per pacchetto
Articoli alternativi
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti articoli alternativi:
Tipo
Immagine
Articolo
N. Art. Produtt.
Prezzo
Simile
Infineon IPD50P04P4L-11 transistor 40 V
Infineon
IPD50P04P4L11ATMA1
a partire da € 2,785*
Simile
MOSFET Vishay, canale P, 10 mΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
Vishay
SUD50P04-08-GE3
a partire da € 0,522*
Simile
STMICROELECTRONICS STD45P4LLF6AG MOSFET, AECQ101, CA-P, -40V, -50A, TO252
ST Microelectronics
STD45P4LLF6AG
a partire da € 0,658*
Simile
VISHAY SQD40081EL_GE3 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source
Vishay
SQD40081EL_GE3
a partire da € 0,579*
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217
Chi siamo
Assistenza
Area stampa
Lavora con noi
Condizioni generali di contratto
Dati societari
Informativa sulla privacy
RSI
Impostazioni privacy