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STMICROELECTRONICS A1P25S12M3 IGBT, MODULO, CA-N, 1.2KV, 25A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2832451
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     A1P25S12M3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti ACEPACK 1 M Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 25 A Terminazione IGBT a saldare Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.95 V Dissipazione di potenza 197 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (07-Jul-2017) Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT Six Pack [ponte intero]
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STMICROELECTRONICS, A1P25S12M3, 2832451, 283-2451
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