Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2825145 N. Art. Produtt.:
FDA69N25 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.034 ohm Gamma di prodotti UniFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 69 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-3PN Tensione Drain Source Vds 250 V Dissipazione di potenza 480 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ONSEMI, FDA69N25, 2825145, 282-5145 |
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