Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-2802799 N. Art. Produtt.:
SIZ998DT-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 60 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 60 A Resistenza RdsON canale N 0.0022 ohm Tipo di canale canale N + Schottky Resistenza RdsON canale P 0.0022 ohm Dissipazione di potenza canale N 32.9 W Dissipazione di potenza canale P 32.9 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAIR Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, VISHAY, SIZ998DT-T1-GE3, 2802799, 280-2799 |
| | |
| | | Offerte (2) | | |
| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 3000 | | € 7,90* | a partire da € 0,82* | € 0,95* | | | | Magazzino 8585 | | | | 1 | | € 14,99* | a partire da € 0,567* | € 1,61* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|
| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
|
| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
|
| | | | | | | |
|