CYPRESS SEMICONDUCTOR S34MS02G100BHI000 Tipo di Memoria Flash SLC NAND

Tipo di Memoria Flash SLC NAND Tensione di Alimentazione Nom 1.8 V Gamma di prodotti 1.8V Parallel NAND Flash Memories Tensione di alimentazione max 1.95 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 63 Pin Interfacce ONFI Package/case del circuito integrato BGA Densità di Memoria 2 Gbit Temperatura di esercizio max 85 °C Montaggio CI montaggio superficiale Tempo di Accesso - Configurazione di memoria 256M x 8 bit Temperatura di esercizio min -40 °C Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Frequenza di Clock Max - Tensione di alimentazione min 1.7 V