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Articolo
ROHM QS8M51FRATR MOSFET, AEC-Q101, N&P, 100V, 2A, TSMT
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2769558
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
QS8M51FRATR
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 2 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 2 A Resistenza RdsON canale N 0.24 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.24 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.5 W Dissipazione di potenza canale P 1.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
... >
Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
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MOSFET
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SMD transistor
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Transistor SMD
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Transistori
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Transistore
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(FET)
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Campo
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Doppi
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ROHM
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QS8M51FRATR
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