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STMICROELECTRONICS STL115N10F7AG MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 100V, POWERFLAT


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N. Articolo:
     8585-2767837
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STL115N10F7AG
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.005 ohm Gamma di prodotti STripFET F7 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Temperatura di esercizio max 175 °C Corrente Continua di Drain Id 107 A Stile di Case del Transistor PowerFLAT Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 136 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, STMICROELECTRONICS, STL115N10F7AG, 2767837, 276-7837
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