Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-2761832 N. Art. Produtt.:
BUK7M15-60EX EAN/GTIN:
n.d. |
| |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.013 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 43 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOT-1210 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 62 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, BUK7M15-60EX, 2761832, 276-1832 |
| | |
| |