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ONSEMI NVTFS5C658NLTAG MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 60V, WDFN


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N. Articolo:
     8585-2760525
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVTFS5C658NLTAG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0042 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 109 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor WDFN Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 114 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NVTFS5C658NLTAG, 2760525, 276-0525
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