VISHAY SQJQ466E-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 60V, POWERPAK

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0017 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 200 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 150 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)