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INFINEON IRFR3411TRPBF MOSFET, CA-N, 100V, 32A, TO-252AA


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N. Articolo:
     8585-2725960
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFR3411TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.036 ohm Gamma di prodotti HEXFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 32 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252AA Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 130 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, INFINEON, IRFR3411TRPBF, 2725960, 272-5960
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