Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-2708303 N. Art. Produtt.: SIHJ10N60E-T1-GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.313 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 10 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 89 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIHJ10N60E-T1-GE3, 2708303, 270-8303 |
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| | | Offerte (2) | | |
| | Stato magazzino | | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | | | € 7,90* | a partire da € 1,63* | € 3,15* | | | | Magazzino 8585 | | | | | | € 14,99* | a partire da € 1,19* | € 3,61* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
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