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ROHM RCD100N19TL MOSFET, CA-N, 190V, 10A, TO-252


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2706612
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RCD100N19TL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.13 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 10 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 190 V Dissipazione di potenza 85 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RCD100N19TL, 2706612, 270-6612
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