ROHM QS8M51TR MOSFET, CAN-P E N, 100V, 2A, TSMT

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 2 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 2 A Resistenza RdsON canale N 0.24 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.24 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.5 W Dissipazione di potenza canale P 1.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)