IXYS SEMICONDUCTOR IXFH36N50P MOSFET, CA-N, 500V, 36A, TO-247

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.17 ohm Gamma di prodotti Polar HiPerFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 36 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 540 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)