Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2663702 N. Art. Produtt.:
SQJB60EP-T1_GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 30 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 30 A Resistenza RdsON canale N 0.01 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.01 ohm Dissipazione di potenza canale N 48 W Dissipazione di potenza canale P 48 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SQJB60EP-T1_GE3, 2663702, 266-3702 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | |  In magazzino |
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