CYPRESS SEMICONDUCTOR S34ML01G200BHI000 Tipo di Memoria Flash SLC NAND

Tipo di Memoria Flash SLC NAND Tensione di Alimentazione Nom 3 V Gamma di prodotti 3V SLC NAND Flash Memories Tensione di alimentazione max 3.6 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 63 Pin Interfacce parallela Package/case del circuito integrato BGA Densità di Memoria 1 Gbit Temperatura di esercizio max 85 °C Montaggio CI montaggio superficiale Tempo di Accesso 25 ns Configurazione di memoria 128M x 8 bit / 64M x 16 bit Temperatura di esercizio min -40 °C Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Frequenza di Clock Max - Tensione di alimentazione min 2.7 V