Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-2646404 N. Art. Produtt.:
SISS23DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0035 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 50 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 57 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 900 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SISS23DN-T1-GE3, 2646404, 264-6404 |
| | |
| | | Offerte (3) | | |
| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 20 | | Franco domicilio | a partire da € 0,479* | € 0,895* | | | | | | | | 1 | | € 7,90* | a partire da € 0,35* | € 0,95* | | | | Magazzino 8585 | | | | 5 | | € 14,99* | a partire da € 0,306* | € 0,951* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | a partire da 2500000 pezzi | | | | Ordini solo in multipli di 5 pezzi | Quantità minima di ordine: 5 pezzi ( € 4,755* più IVA ) |
|
| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
|
| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
|
| | | | | | | |
|