Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2630085 N. Art. Produtt.:
R6004ENJTL EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.9 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 58 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, R6004ENJTL, 2630085, 263-0085 |
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