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DIODES INC. DMN63D8LDW-7 MOSFET AEC-Q101, CAN-N DOPP. 30V, SOT363


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N. Articolo:
     8585-2543518
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN63D8LDW-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 260 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 260 mA Resistenza RdsON canale N 2.8 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 2.8 ohm Dissipazione di potenza canale N 400 mW Dissipazione di potenza canale P 400 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, DIODES INC., DMN63D8LDW-7, 2543518, 254-3518
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