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STMICROELECTRONICS STB35N60DM2 MOSFET, CAN-N, 600V, 28A, TO-263


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2531105
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STB35N60DM2
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.094 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 28 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 210 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STB35N60DM2, 2531105, 253-1105
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