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ROHM RTR025P02FRATL MOSFET, CA-P, -20V,-2.5A, TSMT
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2527976
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
RTR025P02FRATL
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.07 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 2.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
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Transistor di potenza
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transistor a effetto campo
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(FET)
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Campo
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
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Transistori
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ROHM
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RTR025P02FRATL
,
2527976
,
252-7976
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