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ONSEMI NST65010MW6T1G TRANS. PNP DOPPIO, -65V, SOT-363-6


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N. Articolo:
     8585-2508355
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NST65010MW6T1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor dual
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Polarità Transistor PNP doppio Dissipazione di potenza NPN - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Dissipazione di potenza PNP 380 mW Guadagno di corrente DC (hFE) min PNP 220 hFE Frequenza di transizione NPN - Frequenza di transizione PNP 100 MHz Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023) Tensione collettore-emettitore max PNP 65 V Corrente di collettore continua NPN - Tensione collettore-emettitore max NPN - Corrente di collettore continua PNP 100 mA Guadagno di corrente DC (hFE) min NPN -
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, Array, Bipolare, bipolari, Discreti, Giunzione, Semiconduttori, ONSEMI, NST65010MW6T1G, 2508355, 250-8355
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