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INFINEON BSC014N04LSIATMA1 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-2480707
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSC014N04LSIATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
transistor a effetto campo
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0012 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente Continua di Drain Id 100 A Stile di Case del Transistor TDSON Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 96 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Effetto, MOSFET, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, BSC014N04LSIATMA1, 2480707, 248-0707
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