Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2473420 N. Art. Produtt.:
NVE4153NT1G EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.127 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 915 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SC-89 Tensione Drain Source Vds 26 V Dissipazione di potenza 300 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 760 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023) |
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| Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NVE4153NT1G, 2473420, 247-3420 |
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