Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-2469652 N. Art. Produtt.:
PMV30UN2 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.024 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5.4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 490 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 650 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMV30UN2, 2469652, 246-9652 |
| | |
| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | |  In magazzino |
| a partire da € 0,502* | | | | Il prezzo è valido a partire da 2.500.000 pacchetti | | | | | | 1 pacchetto contiene 5 pezzi (a partire da € 0,1004* per pezzo) | | | | | Scegli condizioni | | | | | | | | Prezzi progressivi | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | a partire da 10 pacchetti | | | | a partire da 20 pacchetti | | | | a partire da 50 pacchetti | | | | a partire da 100 pacchetti | | | | a partire da 300 pacchetti | | | | a partire da 500 pacchetti | | | | a partire da 1000 pacchetti | | | | a partire da 2500000 pacchetti | | | |
|
| | |
|
|