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ONSEMI RFD3055LESM9A MOSFET, CANALE N, 60V, 11A, TO-252AA-3


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N. Articolo:
     8585-2454079
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     RFD3055LESM9A
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.107 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 11 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252AA Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 38 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, RFD3055LESM9A, 2454079, 245-4079
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