ONSEMI FDS6930B MOSFET, DOPPIO CAN N, 30V, 5.5A, SOIC-8

Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Gamma di prodotti - Corrente di drain continua (Id) canale P 5.5 A Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 5.5 A Resistenza RdsON canale N 0.031 ohm Resistenza RdsON canale P 0.031 ohm Tipo di canale canale N Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)