ONSEMI NDS0610 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 10 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 120 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 360 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)