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NEXPERIA PSMN4R2-30MLDX MOSFET, CANALE N, 30V, 70A, SOT-1210-5
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2400978
Produttore:
Nexperia
N. Art. Produtt.:
PSMN4R2-30MLDX
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0035 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 70 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOT-1210 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 65 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
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NEXPERIA
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PSMN4R2-30MLDX
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240-0978
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