Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-2400357 N. Art. Produtt.: SIHB12N65E-GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.33 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 12 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 156 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021) |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIHB12N65E-GE3, 2400357, 240-0357 |
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| | | Offerte (2) | | |
| | Stato magazzino | | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | | | € 7,90* | a partire da € 1,49* | € 2,77* | | | | Magazzino 8585 | | | | | | € 14,99* | a partire da € 1,17* | € 3,64* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
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