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INFINEON FP25R12KT4BOSA1 MODULO IGBT, NPN, 1.85V, 25A


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2377259
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FP25R12KT4BOSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 25 A Terminazione IGBT montaggio a pressione Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.85 V Dissipazione di potenza 160 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tecnologia Transistore IGBT IGBT 4 [Trench/Field Stop] Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT raddrizzatore di ingresso trifase PIM
Altri termini di ricerca: Transistore, transistori npn, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, INFINEON, FP25R12KT4BOSA1, 2377259, 237-7259
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