Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2364080 N. Art. Produtt.:
SIHG22N60E-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.15 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 21 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247AC Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 227 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIHG22N60E-GE3, 2364080, 236-4080 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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