Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2364068 N. Art. Produtt.:
SIA437DJ-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.012 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 29.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SC-70 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 19 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 400 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIA437DJ-T1-GE3, 2364068, 236-4068 |
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