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STMICROELECTRONICS VNS1NV04DPTR-E MOSFET, CAN N 45V, 1R7A, 0R25, SOIC-8


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N. Articolo:
     8585-2341721
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     VNS1NV04DPTR-E
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
CMOS 4000
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.25 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Temperatura di esercizio max - Corrente Continua di Drain Id 1.7 A Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 45 V Dissipazione di potenza 4 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 500 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Commutateur de distribution de puissance, Commutateurs de distribution de puissance, MOSFET, Interruttore SMD, Interruttori SMD, interruttore smd, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, VNS1NV04DPTR-E, 2341721, 234-1721
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