Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-2323159 N. Art. Produtt.: FDC5614P EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.082 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SuperSOT Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 1.6 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023) |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDC5614P, 2323159, 232-3159 |
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| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 3000 | | Franco domicilio | a partire da € 0,18* | € 0,19* | | | | Magazzino 8585 | | | | 3000 | | Franco domicilio | a partire da € 0,173* | € 0,194* | | | | | | | | | 3 | | € 7,90* | a partire da € 0,226* | € 0,541* | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | a partire da 7500000 pezzi | | | | Ordini solo in multipli di 3.000 pezzi | Quantità minima di ordine: 3000 pezzi ( € 582,00* più IVA ) |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
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