Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2283625 N. Art. Produtt.:
SIHU5N50D-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.2 ohm Gamma di prodotti D Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-251 Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 104 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIHU5N50D-GE3, 2283625, 228-3625 |
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