VISHAY SIHD3N50D-GE3 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.6 ohm Gamma di prodotti D Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 104 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised