NEXPERIA BUK9611-80E,118 MOSFET, CANALE N, 80V, 75A, D2PAK

Tensione di test di Rds(on) 5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0083 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 75 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 182 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)