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DIODES INC. DMG6602SVT MOSFET, CH NP, , 30V, 3.4, ATSOT23


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N. Articolo:
     8585-2061522
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG6602SVT
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.4 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3.4 A Resistenza RdsON canale N 0.038 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.038 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.12 W Dissipazione di potenza canale P 1.12 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSOT-26 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, DIODES INC., DMG6602SVT, 2061522, 206-1522
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