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DIODES INC. DMN6068SE MOSFET, CANALE N DIOD, 60V, 4.1A, SOT223


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2061415
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN6068SE
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.068 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5.6 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-223 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 16 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMN6068SE, 2061415, 206-1415
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Accessori
Modulo Driver gate IR2117SPBF, CMOS, LSTTL, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin
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IR2117SPBF
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