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NEXPERIA 2N7002PV,115 MOSFET, 2 CANALI N, 60V, 0.35A, SOT666


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N. Articolo:
     8585-1972663
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     2N7002PV,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 350 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-666 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 500 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.75 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, smd transistor, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, 2N7002PV,115, 1972663, 197-2663
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