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ON SEMICONDUCTOR FDMA507PZ Tensione di test di Rds(on) 5 V Resistenza


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-1885767
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMA507PZ
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.019 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 7.8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor µFET Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 2.4 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 500 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ON SEMICONDUCTOR, FDMA507PZ, 1885767, 188-5767
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