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INFINEON IPB60R190C6ATMA1 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza


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N. Articolo:
     8585-1860814
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB60R190C6ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.17 ohm Gamma di prodotti CoolMOS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 2 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 151 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPB60R190C6ATMA1, 1860814, 186-0814
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