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NEXPERIA 2N7002BKV,115 MOSFET,2 CANALI N,60V,0.34A,SOT666


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N. Articolo:
     8585-1859844
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     2N7002BKV,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P - Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P - Corrente di drain continua (Id) canale N 340 mA Resistenza RdsON canale N 1 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P - Dissipazione di potenza canale N 525 mW Dissipazione di potenza canale P - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-666 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, smd transistor, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, NEXPERIA, 2N7002BKV,115, 1859844, 185-9844
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MOSFET Nexperia, canale N, 2 Ω, 350 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
Nexperia
2N7002BK,215
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