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VISHAY SUD09P10-195-GE3 MOSFET,CANALE P,DIODO,100V,8.8A,TO-252


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N. Articolo:
     8585-1859014
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SUD09P10-195-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.162 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 8.8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 2.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
Altri termini di ricerca: Transistor IGBT, FET di giunzione, Transistor, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SUD09P10-195-GE3, 1859014, 185-9014
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