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VISHAY SIR422DP-T1-GE3 MOSFET,CANALE N,DIODO,40V,40A,PPAKSO8


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N. Articolo:
     8585-1858994
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIR422DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0054 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 40 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Altri termini di ricerca: FET di giunzione, Transistor, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIR422DP-T1-GE3, 1858994, 185-8994
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